Координатор проекту: Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Сукач Георгій Олексійович
Пошуковий профіль науковця на порталі НБУВ

ID: 0714554 адреса матеріалу: http://irbis-nbuv.gov.ua/ASUA/0714554

Сукач Георгій Олексійович
(доктор наук)

Списки документів формуються автоматично
на основі електронних ресурсів НБУВ.
До списків можуть бути включені публікації авторів з подібними іменами або однофамільців
      Праці:
  1. [Д] (1994) Радіаційна та термічна модифікація рекомбінаційних властивостей напівпровідникових світловипромінюючих структур
  2. (2007) Підкладки для епітаксійного росту нітридів ІІІ групи
  3. (2011) Дефекти структури та процеси пороутворення у фосфіді індію
  4. (2012) Фізика
     Реферативна база даних "Україніка наукова"
     (наукові видання, опубліковані в Україні):
    база даних на реконструкції, можлива некоректна робота
  1. (2002) Вплив поверхневих рекомбінаційних процесів вищих порядків на товщину прошарку, відповідального за формування фотоефектів у напівпровідникових структурах
  2. (2003) Люмінесценція плівок GaN:Zn, оброблених радикалами азоту, отриманими у високочастотній плазмі аміаку
  3. (2004) Властивості пористого арсеніду галію
  4. (2004) Фізико-математичне моделювання процесів нітридизації галієвих сполук <$E bold roman {A sup 3 B sup 5}> в радикалах азоту
  5. (2005) Морфологія пористого арсеніду галію
  6. (2006) Про один механізм конвертації поверхневих шарів GaAs у GaN у результаті нітридизації
  7. (2006) Прояв екситонів в приповерхневих шарах Шотткі кристалів <$E bold beta>-ZnP2
  8. (2007) Підкладки для епітаксійного росту нітридів ІІІ групи
  9. (2007) Фізико-хімічні аспекти матеріалів підкладок для епітаксійного вирощування плівок GaN: (огляд)
  10. (2007) Шари ZnO:P p-типу з ультрафіолетовою фотолюмінесценцією, отримані методом радикало-променевої епітаксії
  11. (2008) Властивості структур GaNAs та GaN, отриманих нітридизацією поруватих підкладок GaAs
  12. (2008) Поверхневий потенціал в кристалах CdP2
  13. (2009) Приповерхневі фотоелектричні явища в CdP2
  14. (2009) Процеси випромінювальної рекомбінації в поруватих структурах n-GaP, отриманих методом електролітичного травлення в кислотних розчинах на основі HF та H2SO4
  15. (2010) Вплив дислокацій на пороутворення в монокристалах n-InP та n-GaP, оброблених в травниках на основі HF
  16. (2010) Текстурування поверхні фосфіду індію
  17. Управління рекомбінаційними потоками носіїв заряду шляхом варіації стану поверхні напівпровідника та рівня оптичного збудження
  18. (2011) Дефекти структури та процеси пороутворення у фосфіді індію
  19. (2012) Фізика
Подібні імена (у списках можуть бути публікації таких авторів):
  1. Сукач Георгій Георгійович (медичні науки)
  2. Сукач Георгій Олексійович (фізико-математичні науки)
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського