Досліджено прояв антиструктурних дефектів, утворених ядерним опроміненням, у впорядкованих бінарних розчинах. Розрахунки показали, що концентрація таких дефектів за типових значень інтенсивності опромінення і температури може бути великою. Наявність антиструктурних дефектів може викликати появу нестабільності в кристалі під час опромінення. Нестабільність пов'язана з прискоренням рекомбінації антиструктурних дефектів, яке зумовлене виділенням тепла під час релаксації. Нестабільність призводить до появи автоколивань густини дефектів і температури кристала. Вивчено прояв автоколивань.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"