![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000000115<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Halsall M. P. Characterization of ZnS/ZnSe quantum wells grown by photoassisted vapour phase epitaxy = Діагностика квантових ям ZnS/ZnSe, вирощених методом фотостимульованої газофазної епітаксії / M. P. Halsall, V. V. Tishchenko, A. V. Kovalenko, J. E. Nicholls, P. Lilley // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 8. - С. 865-869. - Библиогр.: 15 назв. - англ.Research into light emitting applications for ZnSe/ZnS materials presently centers on the materials grown epitaxially by either MOVPE or MBE techniques. If a simpler technique could be found to reproduce the material quality obtained by MBE or MOVPE, this would be preferred. This paper reports the growth of good quality ZnS/ZnSe quantum well structures on GaAs at very low temperatures by the technique of photoassisted vapour phase epitaxy (PAVPE). The structures were assessed by low temperature photoluminescence and Raman spectroscopy. Both techniques show the effects of reduced dimensionality. A new lattice dynamic model appropriate for strained systems is used to derive the ZnSe strain state and well width for the samples studied. Індекс рубрикатора НБУВ: В315.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|