Рассмотрены схемные особенности построения импульсных генераторов для импульсного возбуждения ультразвуковых пьезоэлектрических преобразователей на современных полевых транзисторах с гексагональной структурой (HEXFET-транзисторы). Приведены две практические схемы генераторов, дано описание выбора основных элементов электрической схемы.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"