Проведено аналітичне вивчення p-i-n фотодіода з нестандартним профілем легування. У даному фотодіоді присутнє внутрішнє електричне поле, яке прискорює процес дифузії. Завдяки прискоренню дифузії робочий діапазон фотодіода на основі гомопереходу поширюється до 30 ГГц.

Проведено аналитическое изучение p-i-n фотодиода с нестандартным профилем легирования. В результате такого легирования в фотодиоде присутствует внутреннее электрическое поле, которое ускоряет процесс диффузии. Благодаря ускорению диффузии рабочий диапазон p-i-n фотодиода на основе гомоперехода увеличивается до 30 ГГц.

The homojunction p-i-n photodiode with nonuniformly doping p- and n- regions is considered. Due to nonuniform doping p- and n- regions the electric field is formed in both regions. Bandwidth of homojunction p-i-n photodiode depends on diffusion velosity. Due to acceleration of diffusion process the bandwidth of homojunction p-i-n photodiode is extended to 30 GHz.

• Терещенко Ганна Ігорівна (економічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"