З використанням трикристальної рентгенівської дифрактометрії досліджено тонкі плівки арсеніду галію. Встановлено, що для епітаксійних систем, як і для монокристалів, інтенсивність дифракції рентгенівських променів можна розділити на когерентну та дифузну складові. Комплексний аналіз характеру дифузного розсіювання (ДР) плівками GaAs, сильно легованими кремнієм, з використанням дифрактометрії високої роздільної здатності дозволив виявити в них мікродефекти різних розмірів і концентрацій, а також визначити їх тип. Уперше здійснено якісне порівняння експериментальних і розрахункових карт ізоліній ДР навколо вузлів структурного та квазізабороненого рефлексів. В окремих випадках (для перетинів просторового розподілу ДР) отримано кількісне узгодження теорії та експерименту.

• Кладько Василь Петрович (1957–) (фізико-математичні науки)
• Молодкін Вадим Борисович (1941–) (фізико-математичні науки)
• Оліховський Степан Йосипович (фізико-математичні науки)
• Максименко Зоя Василівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"