Представлены результаты теоретических исследований фотоакустического эффекта в оптически непрозрачном и термически толстом твердом теле с пьезоэлектрической регистрацией. Проведен расчет зависимостей амплитуды и фазы фотоакустического сигнала от частоты модуляции лазерного излучения, толщины дефекта и глубины его залегания для модельной трехслойной структуры Si - GaAs - Si. Показано, что изменяя частоту модуляции, можно проводить послойный анализ подповерхностных свойств объекта.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"