Розглянуто простий високоінформативний метод, який дозволяє однозначно ідентифікувати механізм зарядопереносу в досліджуваних структурах та одержувати коректну інформацію про параметри локалізованих станів у забороненій зоні матеріалу безпосередньо з вольт-амперних характеристик (ВАХ) струмів, обмежених просторовим зарядом. Результати моделювання свідчать про добрий збіг параметрів розподілів пасток, розрахованих за допомогою цього методу, з вхідними параметрами глибоких центрів. Експериментальну апробацію кількох модифікацій диференціального методу проведено на високоомних плівках CdTe. Виявлено чотири групи моноенергетичних пасток. Одержані результати свідчать про перспективність методу інжекційної спектроскопії для дослідження глибоких станів у напівпровідникових і напівізолюючих матеріалах.

• Любчак Володимир Олександрович (педагогічні науки)
• Опанасюк Анатолій Сергійович (фізико-математичні науки)
• Опанасюк Анастасія Сергіївна (медичні науки)
• Тиркусова Надія Володимирівна (фізико-математичні науки)
• Харченко Володимир Іванович (мистецтвознавство)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"