За допомогою комп'ютерного моделювання детально досліджено динаміку змін характеру траєкторій, величин пробігів і втрат енергії канальованих іонів у залежності від ступеня віддалення прицільних точок від осі каналу в напрямку атомів, що утворюють стінки каналу, роду іонів, кута між віссю і напрямком руху іонів, початковою енергією, виду потенціалу взаємодії і температури кристала. Встановлено, що у випадку не занадто важких іонів для параксіальної частини пучка навіть в області низьких енергій основний внесок у загальні витрати дають непружні втрати енергії. Розроблено просту модель розрахунку на ЕОМ профілів розподілу відносно важких іонів і низьких енергій, прониклих у монокристали в умовах каналювання.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"