Рассмотрена физическая модель для расчета полескоростной характеристики основных полупроводниковых материалов (Si, Ge, GaAs), основанная на уравнениях сохранения импульса и энергии, расчете времен релаксации импульса. Показано влияние на степень насыщения упругости рассеяния на оптических фононах.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"