Малышев В. А. Приближенная нелинейная теория инверсной населенности полупроводниковых лазеров / В. А. Малышев // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 1999. - 42, № 5. - С. 70-74. - Библиогр.: 5 назв. - рус.
На основе приближенного рассмотрения стационарного варианта кинетических уравнений для населенности зон в полупроводниках получены простые соотношения для инверсной населенности рабочих уровней и ее зависимости от интенсивности излучения, позволяющие оценить оптимальную прозрачность выходной системы лазеров.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"