У рамках моделі Блондера - Тінкхема - Клапвіка (БТК) розглянуто вплив андріївського відбиття квазічастинок на протікання електричного струму через тунельні переходи типу надпровідник - ізолятор - феромагнетик (S - I - F) з високою прозорістю бар'єра. Показано, що відношення сигнал/шум можна збільшити для клітинки пам'яті, яка використовує двобар'єрний тунельний контакт феромагнетик - ізолятор - надпровідник - ізолятор - феромагнетик замість звичайного тунельного контакту феромагнетик - ізолятор - феромагнетик. Описано зміну нелінійних (тунельного типу) вольт-амперних характеристик переходів у разі збільшення прозорості бар'єра.

• Шлапак Юрій Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"