Завдання математичного відображення фізико-хімічних процесів, що лежать в основі функціонування, наприклад, металоокисних високотемпературних сенсорів концентрації газу, вимагає для свого вирішення застосувати та узгодити між собою: теорію Шотткі, Вагнера, Крьогера та інших, яка описує статику системи "газ - бінарна сполука" в стані термодинамічної рівноваги; теорію електронних процесів на поверхні напівпровідника Ф.Ф.Волькенштейна та доповнюючі напівемпіричні енциклопедичного характеру роботи С.Р.Моррісона; теорію поверхневих нерівноважних процесів в напівпровіднику О.В.Саченка; теорію Гаррета-Браттайна, а також їх послідовників, які робили спроби екстраполяції цієї класичної праці на більш широкий клас задач традиційного курсу фізики напівпровідників. В роботі викладено варіант узагальнення перерахованих концепцій для математичного обгрунтування процесів перенесення речовини та заряду в гетерогенній системі "газ - бінарний окисел - основа", який базується на системному підході до розробки математичних моделей фізичних об'єктів. Додатково розглянуто ряд суміжних питань.

• Таланчук Петро Михайлович (педагогічні науки)
• Мороз Олег Семенович (економічні науки)
• Мороз Олександр Сергійович (біологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"