Рассмотрен процесс формирования субструктуры крупных профилированных монокристаллов вольфрама. Выявлено, что температурные условия, в которых формируется монокристалл, определяют качество субструктуры всего кристалла. В выращенном кристалле исследуется только субструктура первого порядка. При выпуклой форме изотермической поверхности между ванной и кристаллом наблюдается искривление границы и выход ее на поверхность. Показано, что для получения требуемого качества субструктуры необходимо точное поддержание температурного режима выращивания монокристалла и затравочный кристалл требуемого качества.

• Шаповалов Вадим Андрійович (медичні науки)
• Шаповалов Віктор Анатолійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"