Власенко О. І. Фотопровідність кристалів CdHgTe з фотоактивними включеннями при високих рівнях збудження / О. І. Власенко, З. К. Власенко // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 10. - С. 1241-1245. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Досліджено люкс-амперні характеристики (ЛАХ) кристалів CdHgTe (КРТ) з фотоактивними включеннями. Показано, що специфіка ЛАХ таких кристалів, в тому числі ділянки над- і суперлінійності, що спостерігаються в експерименті, може визначатись переключенням домінуючих каналів рекомбінації, зняттям рекомбінаційних бар'єрів, а також зменшенням ефективних рекомбінаційних геометричних розмірів включень, пов'язаних із зменшенням довжини дифузійного зміщення при зменшенні часу життя нерівноважних носіїв. Наведено експериментальні дані і розрахунки на основі моделі рекомбінаційних потоків різними каналами. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|