Розглянуто вплив електричних, магнітних і теплових полів на електричні, термоелектричні, гальвано- і термомагнітні явища в технічно актуальних багатодолинних напівпровідниках (типу n-Si та n-Ge). Детально проаналізовано поведінку легувальних (і залишкових) домішок і власних дефектів, що створюють в багатодолинних напівпровідниках центри мілкого і глибокого залягань, досліджено їх реакційну та радіаційну обробку і термовідпали за різних умов. Всебічно висвітлено вплив гідростатичного і направленого тиску на електричні, оптичні, гальваномагнітні та термомагнітні явища в технічно актуальних кристалах і проведено необхідні зіставлення дослідних даних з теорією анізотропного розсіяння, яка розкриває фізичний зміст досліджених явищ на якісному рівні, кількісно їх описує.

• Федосов Андрій Васильович (технічні науки)
• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"