Розглянуто вплив геометричних параметрів КРС на довжину хвилі генерації інжекційного напівпровідникового лазера на основі InGaAs/InP. На підставі рішення стаціонарного рівняння Шредінгера з незбуреним гамільтоніаном для двошарової КРС отримано залежність довжини хвилі випромінювання від ширини ям і бар'єра. З'ясовано, що на етапі виготовлення квантово-розмірного лазера довжиною хвилі випромінювання можна керувати у великому діапазоні, змінюючи ширину роздільного бар'єра.

Рассмотрено влияние геометрических параметров КРС на длину волны генерации инжекционного полупроводникового лазера на основе InGaAs/InP. На основании решения стационарного уравнения Шредингера с невозмущённым гамильтонианом для двухслойной КРС получена зависимость длины волны излучения от ширины ям и барьера. Выявлено, что на этапе изготовления квантово-размерного лазера длиной волны излучения можно управлять в широких пределах, изменяя ширину разделительного баръера.

Contribution of Wanner-Mott excitons into the physical processes taking place in injection semiconductor lasers (ISL) on GaAs/AlxGa1-xAs quantum-well structures (QWS) was considered. On the basis of rate equations system solutions with allowanse for generation and annihilation of electron-hole pairs the dependences of the generated photons as well as nonequilibrium electrons and excitons produced by binding of free carriers on pumping current density in below threshold, threshold and above thresholdregions where obtained.

• Пащенко Алла Григорівна (біологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"