Теоретично та експериментально досліджується вплив цезію в об'ємі та на поверхні іонного джерела на його емісійні характеристики. Показано, що цезій в об'ємі в умовах реального іонного джерела робить значний внесок у кінетичні процеси, але слабко впливає на струм іонів H^-, що витягуються із джерела. В той самий час цезій на поверхні джерела, навіть при малому коефіцієнті конверсії gamma H в H^- (gamma approx 10^-3), приводить до збільшення струму іонів H^- у декілька разів. Висновки теорії добре узгоджуються з отриманими в роботі експериментальними даними.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"