Garsia-Garsia E. Crystallization kinetics of Ge22Sb22Te56 doped with Se and Ni = Кінетика кристалізації Ge22Sb22Te56, легованого Se і Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 71-74. - Библиогр.: 8 назв. - англ.Вивчено вплив Ni і Se на кінетику кристалізації Ge:Sb:Te сплавів. Виявлено, що обидва елементи підвищують стабільність аморфної структури. Кінетика кристалізації при ізотермічній обробці показує, що Ni зменшує як бар'єр термічної кристалізації, так і швидкість кристалізації. Кристалізація зразків, які містять Se, також уповільнена, можливо завдяки більш сильній енергії зв'язку цього елементу в порівнянні з Te. Ключ. слова: crystallization kinetics, RF-sputtering technique, electrical conductivity Індекс рубрикатора НБУВ: В378.24 + К203
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|