Vlasenko O. I. Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn,Zn)Te - Cd(Mn,Zn)HgTe and their photoelectrical properties = Розподіл компонент в епітаксійних варізонних гетероструктурах Cd(Mn,Zn)Te - Cd(Mn,Zn)HgTe і їх фотоелектричні властивості / O. I. Vlasenko, V. M. Babentsov, Z. K. Vlasenko, A. V. Ponedilok, I. V. Kurilo, I. O. Rudyj, V. V. Kremenitskiy // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 75-81. - Библиогр.: 24 назв. - англ.Методом ПФЕ одержані гетерокомпозиції CdMnTe - CdMnHgTe (КМТ - КМРТ), CdZnTe - CdZnHgTe (КЦТ - КЦРТ). Підвищення їх фоточутливості порівняно із структурою CdTe - CdHgTe (КТ - КРТ) пояснюється зняттям деформаційних напруг завдяки введенню ізовалентної складової (Mn, Zn) меншого розміру і зниженням рекомбінаційної активності нерівноважних носіїв заряду в плівці. Збільшення фоточутливості в області металургійної границі в структурі КМТ - КМРТ при збільшенні вмісту Mn до y <= 0,08 порівняно із структурою КЦТ - КЦРТ пов'язується з більш прецизійним узгодженням параметрів кристалічних граток вихідних матеріалів. Обговорюються і інші моделі цих явищ, пов'язані, зокрема з впливом мікро- і макро неоднорідностей дифузійної границі, особливостями Р - Т - х діаграм і ін. На основі співставлення експериментальних і розрахункових профілів розподілу компонент отримані значення для їх коефіцієнтів дифузії в підкладці і наростаючій плівці. Ключ. слова: graded band-gap films, photoconductivity, CdHgTe, CdMnHgTe, vapor phase epitaxy, diffusion Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|