Досліджено ефект Хола, питомий опір та вольт-амперні характеристики p-n-переходів у кристалах вузькозонного p-Hg_1-xCd_xTe з високим ступенем чистоти та структурної досконалості в залежності від температури, легування та способу термообробки. Показано, що енергія іонізації домішкових акцепторів у таких кристалах не залежить від умов їх попередньої термообробки, в той час як енергія нижнього рівня власних акцепторів монотонно збільшується від 10 до 15,4 МеВ із просуванням від межі області існування з боку ртуті до межі з боку телуру. Дані для енергії іонізації вакансій ртуті у насичених телуром кристалах добре узгоджуються з результатами розрахунку створюваних нею рівнів у наближенні ефективної маси (16 МеВ). Різниця між кристалами, насиченими ртуттю та телуром, суттєво впливає на величину зворотного струму через p-n-перехід при Т = 77 К. Це необхідно враховувати в процесі виготовлення фотодіодів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"