![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000030719<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Tagaev M. B. Effect of Ultrasonic Treatment of Silicon Impatt Diodes, Power Schottky Diodes and Zener Diodes on their Electrical Characteristics = Вплив ультразвукової обробки кремнієвих лавинно-пролітних діодів, силових діодів Шотткі та стабілітронів на їх електричні характеристики / M. B. Tagaev // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 3. - С. 364-367. - Библиогр.: 13 назв. - англ. Було проведено ультразвукову обробку корпусних кремнієвих лавинно-пролітних діодів та силових діодів Шотткі. Вона суттєво зменшила зворотний струм діодів та збільшила стабільність вольт-амперних характеристик. Отримані результати свідчать про те, що ультразвукова обробка за кімнатної температури викликала істотну перебудову домішково-дефектної структури p - n-переходів у досліджених діодах. Ідеальний діод Шотті реалізується в кремнієвому p - n-переході внаслідок заміни генераційно-рекомбінаційного механізму струму на дифузійний. З метою порівняння було також досліджено кремнієві сплавні стабілітрони, які зазнали ультразвукової обробки. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|