Прямі та зворотні вольт-амперні характеристики (ВАХ) світловипромінюючих діодів на основі GaN епітаксійних плівок досліджено методом диференційної спектроскопії. Основу цього методу складає визначення диференційного нахилу кривої в подвійному логарифмічному масштабі в вигляді alpha = d lg i/d lg V та gamma = d lg alpha/d lg V. Основною особливістю зворотної ВАХ є відсутність випрямлення. Виявлено апроксимації ВАХ i ~ V³ та i ~ V⁴ в областях низького та високого зміщення, відповідно. Це відповідає високому та надвисокому рівням подвійної інжекції носіїв струму, відповідно. Пряма ВАХ показує експоненційну поведінку з фактором ідеальності від 6 до 8 в області зміщень до 1,5 В. Потім на залежності alpha(V) мають місце два максимуми, які відповідають зміненню механізму струмопроходження від дифузійного струму до польової емісії в першому випадку та подоланню рекомбінаційного бар'єру у другому. Тільки після другого максимуму починається випромінювання світла. Обговорюється поведінка ВАХ в температурному діапазоні від 150 K до 400 K. Проведено порівняння ВАХ та спектральних, кінетичних і ампер-яскравісних характеристик в тому ж температурному діапазоні.

• Олексенко Павло Феофанович (1940–2021) (технічні науки)
• Смертенко Петро Семенович (фізико-математичні науки)
• Богословська Алла Борисівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"