Oleksenko P. Ph. Electrophysical characteristics of LEDs based on GaN epitaxial films = Дослідження електрофізичних характеристик СВД на основі GaN епітаксійних плівок / P. Ph. Oleksenko, G. A. Sukach, P. S. Smertenko, S. I. Vlaskina, A. B. Bogoslovskaya, I. O. Spichak, D. H. Shin // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 112-115. - Библиогр.: 12 назв. - англ.Прямі та зворотні вольт-амперні характеристики (ВАХ) світловипромінюючих діодів на основі GaN епітаксійних плівок досліджено методом диференційної спектроскопії. Основу цього методу складає визначення диференційного нахилу кривої в подвійному логарифмічному масштабі в вигляді alpha = d lg i/d lg V та gamma = d lg alpha/d lg V. Основною особливістю зворотної ВАХ є відсутність випрямлення. Виявлено апроксимації ВАХ i ~ V3 та i ~ V4 в областях низького та високого зміщення, відповідно. Це відповідає високому та надвисокому рівням подвійної інжекції носіїв струму, відповідно. Пряма ВАХ показує експоненційну поведінку з фактором ідеальності від 6 до 8 в області зміщень до 1,5 В. Потім на залежності alpha(V) мають місце два максимуми, які відповідають зміненню механізму струмопроходження від дифузійного струму до польової емісії в першому випадку та подоланню рекомбінаційного бар'єру у другому. Тільки після другого максимуму починається випромінювання світла. Обговорюється поведінка ВАХ в температурному діапазоні від 150 K до 400 K. Проведено порівняння ВАХ та спектральних, кінетичних і ампер-яскравісних характеристик в тому ж температурному діапазоні. Ключ. слова: gallium nitride, light emission, current-voltage characteristic, double injection Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|