![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000030771<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Evtukh A. A. Fowler - Nordheim tunneling in structures with ultrathin dielectrics = Тунелювання Фаулера - Нордгейма в структурах з надтонкими діелектриками / A. A. Evtukh, V. G. Litovchenko, A. Yu. Kizyak, D. V. Fedin // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 9. - С. 985-990. - Библиогр.: 9 назв. - англ.Currents through ultrathin dielectric films SiO2 are used for storage and erase charge in electrically programmable memory elements and are very important for reliability of ultra-large integral circuits (IC). The influence of different parameters such as the doping level and type of a substrate, oxide thickness, and post-metallization annealings is investigated in detail. MOS structures with aluminum gate were used for study. The doping level in substrates influences the Fowler-Nordheim current significantly, and this influence is decreased with a growth of the oxide thickness. The annealings in hydrogen and in H2O reduce the Fowler-Nordheim current. The influence of H2O is stronger. To explain the observed experimental results, the influence of the charge in SiO2 on experimental current-voltage I (V) characteristics and the corresponding Fowle-Nordheim curves of MOS structures is considered. The charge at the Si - SiO2 interface and in SiO2 was determined by step-by-step etching of silicon dioxide and measurements of capacitance-voltage C (V) characteristics. The influence of the charge built-up in SiO2 on the I (V) characteristics of a MOS structure is based on the oxide charge induced tunnel transparency modification. The Fowler-Nordheim currents in MOS structures were theoretically calculated in the Wenzel-Kramers-Brillouin energy barrier transparency approximation. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|