Моллаев А. Ю. InAs и CdAs2 - перспективные датчики давления / А. Ю. Моллаев, Р. К. Арсланов, Л. А. Сайпулаева, С. Ф. Габибов // Физика и техника высоких давлений. - 2001. - 11, № 1. - С. 94-97. - Библиогр.: 5 назв. - рус.В полупроводниковых соединениях n-InAs и n-CdAs2 изучено удельное электросопротивление как функция давления rho(P) при гидростатических и квазигидростатических давлениях до 10 ГПа. По результатам исследований установлено, что n-InAs является перспективным материалом, сочетающим в одном датчике калибратор и командный элемент. Наличие в исследованных образцах значительного скачка электросопротивления при P = 6,9 ГПа на зависимости rho(P) позволяет рекомендовать его в качестве командного элемента, а линейная зависимость lgrho(P) в диапазоне давлений 3 - 6 ГПа может быть использована для калибровки аппаратов высокого давления (АВД). Наличие трех максимумов P = 1,8; 3 и 5,5 ГПа на зависимостях rho(P) для образцов n-CdAs2, ориентированных в направлении [001], и двух максимумов P = 3 и 5,5 ГПа - для образцов, ориентированных в направлении [100], позволяет рекомендовать CdAs2 в качестве перспективного реперного материала. Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|