Evtukh A. A. Investigation of electron field emission from polycrystalline silicon films = Дослідження електронної польової емісії з плівок полікристалічного кремнію / A. A. Evtukh // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 7. - С. 834-840. - Библиогр.: 15 назв. - англ.Досліджено електронну польову емісію з плівок полікристалічного кремнію. Плівки полікремнію отримано методом осадження із парогазової суміші за умов зниженого тиску. Легування плівок полікремнію проведено як у процесі осадження, так і шляхом термічної дифузії з POCl3 за температури 900 та 950 °С протягом 30 хв. Загострення виступів на поверхні полікремнієвого шару проведено термічним окисленням у сухому O2 або в H2O за різних температур у діапазоні 900 - 1100 °С. Після окиснення і стравлювання окису поверхня полікристалічного кремнію має розвинуті виступи, особливо у випадку окиснення за нижчих температур. Виступи на полікремнієвих поверхнях є нерегулярними, тобто мають різні розміри (відношення висоти до основи) та форму. Морфологію поверхні оцінено за допомогою скануючого електронного мікроскопа. Вимірювання емісійного струму проведено у високовакуумній системі, яку відкачували до стабільного тиску 10-6 Торр. Визначено площі емісії та коефіцієнти локального підсилення електричного поля. Ці параметри використано для порівняння вольт-амперних характеристик емісійного струму з плівок полікристалічного кремнію з різною морфологією поверхні. Плівки полікристалічного кремнію охарактеризовано високим емісійним струмом, що зумовлено відносно великими площами емісії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.271.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|