РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000030830<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Goyer D. B. Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation = Дослідження утворення й відпалу радіаційних дефектів у напівпровідниках A3B5 при опроміненні електронами / D. B. Goyer, I. G. Megela, A. V. Gomonnai, Yu. M. Azhniuk // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика. - 2000. - Вип. 8, ч. 2. - С. 38-43. - Библиогр.: 20 назв. - англ. Проаналізовано вплив опромінення високоенергетичними електронами на електричні й оптичні властивості кристалів InAs, InP, GaP. Визначено, що первинні радіаційні дефекти в напівпровідниках групи A3B5 рухливі, а в GaP частково відпалюються навіть за температур, нижчих ніж кімнатна. Розглянуто роль домішок в утворенні складних радіаційних дефектів у кристалах групи A3B5. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.27 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж68850/фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ  Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
 Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського