Avramenko S. F. Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method = Дослідження структурно-досконалих злитків SiC, вирощених сублімаційним методом / S. F. Avramenko, V. S. Kiselev, M. Ya. Valakh, V. G. Visotski // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 76-79. - Библиогр.: 11 назв. - англ.Монокристалічні SіC злитки було вирощено модифікованим методом Лелі з використанням у якості затравки 6Н - SiC кристалів з базовою площиною (0001). Ріст кристалів відбувався при температурі 2200 - 2500 °С і тиску аргону 2 - 40 мбар. Швидкість росту в напрямку С-осі змінювалась від 0,3 до 1,5 мм/год. Протягом 15 годин росту ми отримували злитки з корисним діаметром 35 мм. Для визначення політипного складу злитків використовувалась спектроскопія комбінаційного розсіяння світла. Структурні дефекти досліджувались за допомогою оптичного мікроскопа, що працював як на відбивання, так і на пропускання, а також за допомогою селективного травлення. В кращих зразках густина дислокацій не перевищувала 102 см-2, мікротрубок - 10 - 20 см-2, а блоки були повністю відсутні. Ключ. слова: карбiд кремнiю, модифiкований метод Лелi, комбiнацiйне розсiювання, дефекти Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|