Запропоновано метод формування напівпровідникових плівок і шарів, який базується на лазерному хімічному осадженні елементів з пари пентакарбоніла заліза (Fe(CO)₅). Осадження елементів з пари Fe(CO)₅ проведено за умов опромінення поверхні підкладки з Si сфокусованим випромінюванням Ar⁺- лазера (lambda_L = 488 нм). Наступна обробка осадженої плівки випромінюванням сфокусованого YAG:Nd⁺³-лазера (lambda_L = 1064 нм) за густини потужності 10⁵ Вт/см² призводить до утворення напівпровідникового шару з таким стехіометричним складом: FeSi_{2 - X}C_X. Обробка випромінюванням YAG:Nd⁺³-лазера призводить до збільшення ширини забороненої зони (E_i) напівпровідникового матеріалу від (0,01 +- 0,001) до (0,1 +- 0,01) еВ. Карбідо-силіциди з використанням заліза (FeSi_{2 - X}C_X) можна використовувати як неохолоджувані фототермоперетворювачі.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"