Mulenko S. A. Laser deposition of semiconductor thin films from iron carbonyl vapours = Лазерне осадження напівпровідникових тонких плівок з пари карбонілу заліза / S. A. Mulenko // Металлофизика и новейшие технологии. - 2001. - 23, № 1. - С. 35-41. - Библиогр.: 8 назв. - англ.Запропоновано метод формування напівпровідникових плівок і шарів, який базується на лазерному хімічному осадженні елементів з пари пентакарбоніла заліза (Fe(CO)5). Осадження елементів з пари Fe(CO)5 проведено за умов опромінення поверхні підкладки з Si сфокусованим випромінюванням Ar+- лазера (lambdaL = 488 нм). Наступна обробка осадженої плівки випромінюванням сфокусованого YAG:Nd+3-лазера (lambdaL = 1064 нм) за густини потужності 105 Вт/см2 призводить до утворення напівпровідникового шару з таким стехіометричним складом: FeSi2 - XCX. Обробка випромінюванням YAG:Nd+3-лазера призводить до збільшення ширини забороненої зони (Ei) напівпровідникового матеріалу від (0,01 +- 0,001) до (0,1 +- 0,01) еВ. Карбідо-силіциди з використанням заліза (FeSi2 - XCX) можна використовувати як неохолоджувані фототермоперетворювачі. Ключ. слова: deposition, treatment, film, and laser Індекс рубрикатора НБУВ: К663.030.022
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|