Romanyuk B. Mechanisms of silicon amorphization at the ultrasound action during ion implantation = Механізми аморфізації кремнію при дії ультразвуку під час іонної імплантації / B. Romanyuk, D. Kruger, V. Melnik, V. Popov, E. Borshchagovski, Ya. Olikh, V. Soroka // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 2. - С. 191-195. - Библиогр.: 14 назв. - англ.Досліджено аморфізацію кремнію в процесі іонної імплантації в разі одночасної дії ультразвуку для детального вивчення впливу дифузії точкових дефектів на кінетику процесу аморфізації. Показано, що щільность дефектів у поверхневому шарі, а також товщина аморфного шару збільшуються під час in situ ультразвукових обробок. Отримані результати обговорено в межах моделі сепарації та дифузії точкових дефектів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|