Проведено дослідження надтонких (тонших за 10 нм) діелектричних плівок двоокису кремнію SiO₂. Для вивчення переносу електронів і дірок крізь надтонкі плівки SiO₂ використовували два типи структур: Si - SiO₂ - Al та Si - SiO₂ - Si₃N₄ - Al. В структурах Si - SiO₂ - Al спостерігали пряме тунелювання і тунелювання Фаулера - Нордгейма крізь надтонкі діелектричні плівки. Було визначено висоти енергетичних бар'єрів для електронів на межах поділу Si - SiO₂ та SiO₂ - Al з нахилу вольт-амперних характеристик (ВАХ), побудованих у координатах Фаулера - Нордгейма, а у випадку більш тонких окисних плівок (тонших за 5 нм) і за величиною електричного поля в точці переходу від прямого тунелювання до тунелювання Фаулера - Нордгейма (за зміною нахилу кривих). При аналізі ВАХ враховувався електричний заряд, вбудований у діелектрик. Дослідження тунелювання дірок у структурах цього типу дуже складне. Це пов'язано із значною асиметрією висот енергетичних бар'єрів для електронів і дірок. Внаслідок асиметрії бар'єрів незалежно від полярності прикладеної напруги потік електронів з напівпровідника чи металічного електрода значно перевищує тунельний струм дірок. Для вимірювань діркового струму при тунелюванні носіїв крізь надтонкі плівки SiO₂ у сильних електричних полях використовували структури Si - SiO2 - Si₃N₄ - Al. Дірковий струм розраховували за величиною накопиченого в діелектрику заряду, який визначали із зсуву вольт-фарадних характеристик структури. Виходячи з отриманих таким чином ВАХ, визначено

висоти енергетичних бар'єрів для електронів та дірок на межах поділу Si - SiO₂ та SiO₂ - Si₃N₄.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"