Наведено дані щодо вивчення фотолюмінесценції в поодиноких квантових шарах (КШ) In_xGa_{1 - x}As, вирощених на GaAs-підкладці, завтовшки від 0,16 до 0,35. Товщини КШ були приблизно рівні або перевищували критичні значення. У результаті знайдено, що: 1) гетероструктури з товщинами КШ, що не перевищують критичні, є рівномірно пружно напруженими та майже не містять дефектів; 2) концентрація дефектів, що генеруються в товстих КШ, зростає зі збільшенням різниці між товщиною зразка і критичною (за грубими оцінками концентрація дефектів близько 10¹¹ см^-2 спостерігається для зразків з x > 0,2 і відносним відхиленням товщини від критичної 1,6); 3) в товстих шарах, певно, відбувається нерівномірний перерозподіл атомів In у широкій області простору. Такі дані отримано з дослідження залежностей півширини лінії, енергії переходів у спектрі фотолюмінесценції та їх дисперсій від різниці між товщиною КШ зразка і критичною. Отримані результати порівняно з результатами попередніх структурних досліджень.

• Гулє Євген Глібович (фізико-математичні науки)
• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"