Метод "гарячої стінки" використано для виготовлення гетероструктур CdTe-PbTe. Як підкладки використовувались монокристали BaF₂. Досліджено електричні, фотоелектричні властивості та спектри шумів. Гетероструктури виявляють фоточутливість аж до кімнатних температур у середній частині ІЧ-діапазону. У досліджуваних гетероструктурах шум типу 1/f спостерігається поблизу частот, що значно менші у порівнянні з тими, які властиві для фоторезисторів PbSe у тій самій частині ІЧ-діапазону. Коротко обговорюються механізми транспорту носіїв та зонна діаграма гетероструктур.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"