Зроблено числовий розрахунок заселеності B²SIGMA_{1 / 2}⁺-стану моногалогенідів ртуті (HgBr^* та HgCl^*) для слабкоіонізованої (ступінь іонізації <= 10^-6) газорозрядної плазми імпульсно-періодичного розряду в подвійних сумішах диброміду та дихлориду ртуті з гелієм і неоном залежно від величини параметра E/p для співвідношення HgBr₂(HgСl₂) : He(Ne) = 0,5 : 99,5 та загального тиску сумішей 115 кПа. Концентрацію моногалогенідів ртуті в B²SIGMA_{1 / 2}⁺-стані знайдено з кінетичного рівняння для заселеності цього стану. Їх значення для молекул HgBr^* (3,3 ^. 10¹³ см^-3) вищі, ніж для молекул HgCl^* у 5,2 раза у сумішах з гелієм і в 4,6 раза в сумішах з неоном для E / p = 3 В ^. см^{-1 .} мм рт. ст^-1. Заселеності молекул HgBr^* та HgCl^* більші в сумішах з гелієм, ніж з неоном. Максимальні значення заселенності B²SIGMA_{1 / 2}⁺-стану моногалогенідів ртуті лежать в області значень параметра E / p від 2 до 5 В ^. см^{-1 .} мм рт. ст^-1.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"