РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000030974<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Kraitchinskii A. M. 
Primary Ragiation Defects in Silicon. Creation, Annihilation, Dissociation, Getters = Первинні радіаційні дефекти в кремнії. Утворення, анігіляція, дисоціація, стоки / A. M. Kraitchinskii, V. B. Neimash, I. S. Rogutskii, L. I. Shpinar // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 1-2. - С. 259-262. - Библиогр.: 10 назв. - укp.

Досліджено процеси утворення, анігіляції, дисоціації первинних радіаційних дефектів в кремнії та можливий вплив неконтрольованих стоків для вакансій міжвузловинних атомів на величину ефективності утворення радіаційних дефектів (ЕУД). Встановлено, що існує єдина порогова енергія для утворення пар Френкеля, яка дорівнює (12,5 +- 0,5) еВ. Показано, що вплив неконтрольованих стоків для первинних дефектів не визначає величину ефективності утворення вторинних радіаційних дефектів. Величина ЕУД контролюється процесами анігіляцїї чи дисоціації первинних дефектів - пар Френкеля. Отримано формулу для залежності ЕУД від температури та концентрації носіїв заряду.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського