Досліджено cпікання без тиску кераміки В₄С, що містить 0 - 25 % (об.) TіB₂ - фази, яка утворилась внаслідок хімічної реакції між В₄С, TіО₂ та вуглецем. Cпікання проведено за ізостатичних умов і постійної швидкості нагрівання. Присутність TіО₂ призводить до зниження енергії активації процесу з 717 кДж/моль за 0 % (об.) TіB₂ до 266 кДж/моль за 25 % (об.) TіB₂. Зразки В₄С - TіB2 з відносною густиною до 99 % спікали без прикладання тиску за умови, що температура 2050 - 2100 °C. Основним механізмом, що визначає ріст частинок TіО₂, є дифузія по межах зерен. Розмір частинок TіО₂ має бімодальний характер і залежить від того, де вони розташовані: в тілі зерен В₄С або в межах зерен. В інтервалі температур 1800 - 2150 °C характер ущільнення кераміки В₄С - TіB₂ однаковий за різних швидкостей нагрівання.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"