Досліджено вплив накопиченої дози гама-опромінення Со⁶⁰ на електричні характеристики двобар'єрних резонансно-тунельних діодів. Прилади виявляють підвищену радіаційну стійкість і зберігають працездатність аж до доз 2 times 10⁹ рад. Показано, що всі зміни вольт-амперних характеристик обумовлені впливом іонізуючого опромінення на нелеговані шари гетероструктур. Відмічається також, що радіаційно-стимульована дифузія компонентів гетеропари в області контакту відіграє важливу роль в розподілі падіння напруги вздовж шарів гетероструктури.

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"