В рамках моделі дифузійного транспорту через різкий асиметричний pn-перехід, фактор ідеальності якого покладається рівним одиниці, за допомогою звичайно використовуючих критеріїв для теоретичного опису напівпровідникових діодних структур одержані співвідношення для оцінки параметрів діодних сенсорів температури. Набір цих параметрів забезпечує або максимальну протяжність термометричної характеристики в область більш високих температур, або максимальну чутливість діодного сенсора температури. Для германієвих, кремнієвих, а також сенсорів на базі арсеніду галію визначено границі термометричних характеристик та температурні залежності чутливості. Статичні та динамічні опори обчислено для випадків максимальної протяжності термометричної характеристики і максимальної чутливості. Показано, що експериментально виміряні характеристики діодних сенсорів температури знаходяться всередині областей, що визначаються граничними характеристиками. Обговорюються шляхи подальшого вдосконалення діодних сенсорів температури.

• Шварц Юрій Михайлович (фізико-математичні науки)
• Борблик Віталій Леонідович (фізико-математичні науки)
• Венгер Євген Федорович (1947–2024) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"