Методами рентгенівської дифракції по Брегу досліджувалась структурна досконалість кристалів кремнію, вирощених методами Чохральського (CZSi) та безтигельного зонного плавлення (FZSi), після імплантації швидкими іонами кисню та неону, в процесі якої були сформовані великі SiO_x-кластери при температурах 1050 - 1150 °С. Виявлений приріст інтегральних інтенсивностей різних брегівських рефлексів цих зразків порівняно з розрахованими значеннями для ідеального кристалу. Показано розширення кривих просторового розподілу інтенсивностей дифрагованих в геометрії Брега променів, знятих за допомогою однокристального спектрометра, а також характерні розподіли інтенсивності дифузного розсіювання біля 333-вузла оберненої гратки, зняті на високороздільному трьохкристальному дифрактометрі фірми Philips. Всі дифракційні ефекти викликані створенням SiO_x-преципітатів, сформованих на радіаційних пошкодженнях структури кристалів кремнію, внаслідок імплантації кисню та неону з наступними відпалами. На відміну від зразків FZSi, де інтенсивне дифузне розсіювання було виявлено лише поблизу імплантованого шару, утвореного гальмуванням іонів кисню, завдяки формуванню там SiO_x-преципітатів, в кристалах CZSi з великою концентрацією кисню (до 1 ^. 10¹⁸ атомів/см³), такі дефекти формувалися не тільки біля захороненого шару, сформованого іонами кисню чи неону з енергіями E = 4 МеВ, дозою 10¹⁴ см^-2, але і по всьому об'єму.

Відпал FZSi кристалів, імплантованих киснем (E = 200 кеВ, дозою ~ 10¹⁶ - 10¹⁷ см^-2) проходив під впливом високого гідростатичного тиску, який додатково стимулював SiO_x-преципітацію поблизу до імплантованого шару.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"