Глинчук К. Д. Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 95-109. - Библиогр.: 20 назв. - рус.Проанализирована при различных температурах (T = 4,8 - 77 К) форма наблюдаемой в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия полосы фотолюминесценции (ФЛ), обусловленной рекомбинацией свободных электронов на мелких акцепторах - атомах углерода. Показано, что при низких температурах она существенно отличается, а при высоких - близка к ожидаемой теоретической для излучательных переходов свободный электрон - изолированный мелкий акцептор. Наблюдаемое отличие экспериментальной и теоретической форм указанной полосы ФЛ связано с расширением создаваемых углеродом акцепторных уровней (т.е. с образованием акцепторной примесной зоны), вследствие воздействия электрических полей беспорядочно расположенных ионизированных акцепторов и доноров на "изолированные" атомы углерода. Их совпадение связано с существенным возрастанием средней энергии свободных электронов (до значений порядка и выше ширины акцепторной примесной зоны). Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|