В результате облучения реакторными нейтронами флюенсом Ф_т -^~ 1 x times 10¹⁷ см^-2 образцы n-Ge с исходной концентрацией доноров N_д -^~ 2,5 ^. 10¹⁶ см^-3 конвертировали в р-тип. В процессе изохронного отжига акцепторных радиационных дефектов при Т -^~ 250 °С происходил возврат исходного п-типа проводимости (р - п-конверсия). На этой стадии отжига наблюдались аномалии коэффициента Холла R_H, заключающиеся в двойной смене знака R_H в температурном диапазоне 120 - 370 К (п - р - п-инверсия) и в проявлении в одной и той же зависимости R_H(T) различных энергий активации: E_g/2,_c -0,27 эВ, _v + 0,22 эВ. Представлены аналитические выражения и предложена модель компенсированного полупроводника с областями разного типа проводимости, объясняющая аномалии и учитывающая исходные неоднородности легирования (слои роста) и трансмутационно введенный глубокий двухзарядный донор Se.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"