Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000031450<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Горбань І. С. Визначення сили осцилятора для екситонного переходу в кристалі TlGaS2 / І. С. Горбань, О. Б. Охріменко // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 9. - С. 1115-1118. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.Оцінено силу осцилятора для екситонного переходу в кристалі TlGaS2 за умов сильної та слабкої екситон-фотонної взаємодій. Було показано, що використання формули Нокса для розрахунку сили осцилятора за умов сильної екситон-фотонної взаємодії не є коректним. Отримано параметри екситон-фотонної f0 та екситон-фононної взаємодії gamma0 для кристала TlGaS2. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|