Исследованы электрические свойства, термическая и радиационная стойкость структуры Au - Mo - TiB₂ - n - n⁺ - Si. Показана пригодность использования борида титана в качестве материала для создания высококачественных диодов с переходом Шоттки на основе кремния. Рассмотрены наиболее возможные механизмы влияния на электрофизические параметры барьерной структуры. Показаны геометрическое распределение и изменение электрических параметров вследствие облучения по плоскости и диагонали тестовой пластины.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"