Шеховцов Н. А. Влияние емкости p+ - n - n+ и n+ - p - p+ диодов на поглощение излучения 54 - 78 ГГц / Н. А. Шеховцов // Радиофизика и электроника. - 2000. - 5, № 1. - С. 142-146. - Библиогр.: 7 назв. - рус.У германієвих p+ - n - n+ та n+ - p - p+ діодів зі слабо легованими n- і p-областями зі зростаннчм струму інжекції поглинання випромінювання 54 - 78 ГГц зменшується, або спочатку збільшується, а потім зменшується, або ж сильне збільшення поглинання змінюється слабким. Встановлено, що зміна залежності поглинання випромінювання від струму інжекції в останніх двох випадках обумовлена зміною позитивної ємності діода на негативну. Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|