The kinetic scheme of transitions and annihilation decays of positronic and positronium states in the volume of a crystall, crystalline skeleton, on a surface, and in the volume of pores of a porous silicon is presented. The formulas linking the intensities of the time components of annihilation decay tau_i^j (I_i^j) with the velocities of decays and transitions of positronic and positronium states in the volume of pores are obtained. The estimation of the interaction constant k_x with the surface of pores accompanied by the formation of the surface state of a positronium atom gives k_x approx 10⁷ - 10⁸ s^-1 and the average value of a pore radius approx 2 nm. The possible explanation of surface phase transitions in porous silicon, observed with the help of positron annihilation spectroscopy, is given.

• Гаврилов Сергій Олексійович (технічні науки)
• Гаврилов Сергій Олексійович (біологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"