Уперше вивчено вплив високочастотної (ВЧ) плазмової обробки на головні електрофізичні параметри гетероструктури аморфний SiC/кристалічний Si, яка мала рекордні значення напруги пробою. Продемонстровано, що ВЧ плазмова обробка структури призводить до значної трансформації вольт-амперної характеристики гетеропереходу в області низьких температур вимірювання. Показано, що найбільший вплив плазми проявляється в області механізму стрибкової провідності за станами поблизу рівня Фермі (за умови максимальної температури плазмової обробки щільність станів на рівні Фермі збільшується майже у 18 разів). З'ясовано, що плазма призводить до зменшення висоти потенціального бар'єра для електронів на межі SiC/p-Si і значного зменшення опору Al/SiC контакту (більше, ніж утричі за максимальної температури ВЧ плазмової обробки). Обговорено механізми впливу ВЧ плазми на електрофізичні властивості гетероструктури SiC/Si.

• Вовк Ярослав Миколайович (фізико-математичні науки)
• Назаров Олексій Миколайович (фізико-математичні науки)
• Лисенко Варвара Сергіївна (економічні науки)
• Лисенко Володимир Сергійович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Ткаченко Антон Сергійович (медичні науки)
• Ткаченко Аліна Сергіївна (технічні науки)
• Назарова Тамара Максимівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"