Островський І. В. Вплив генерації точкових дефектів на затухання ультразвуку в лужно-галоїдних кристалах / І. В. Островський, А. Б. Надточій // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 5. - С. 582-584. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Проведено вимірювання амплітудних залежностей затухання (АЗЗ) ультразвуку (УЗ) в кристалах NaCl, KCl, CsI з початковою щільністю дислокацій 103 - 104 см-2 на частотах 1,7 - 2,6 МГц. Затухання УЗ у разі малих амплітуд УЗ стале, потім зменшується в 1,5 - 2 рази, після чого різко зростає у 8 - 10 разів. При зменшенні амплітуди УЗ спостерігається гістерезис АЗЗ УЗ, вид якого залежить від амплітуди УЗ в точці зворотного ходу. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.18 + В372.313
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|