Показано, що експериментальні результати вимірювання інтегральних відбивних здатностей (ІВЗ) нестехіометричних кристалів GaAs, що містять дислокації, для квазізаборонених 200 та 600 лауе-відбиттів рентгенівських променів (РП) з довжинами хвиль, розташованими між K-краями поглинання Ga та As, можуть бути задовільно описані динамічною теорію розсіяння кристалами з однорідно розподіленими дефектами з врахуванням в обчисленнях дійсної та уявної частин структурного фактора. Теоретично та експериментально розроблено метод контролю параметра нестехіометрії в бінарних кристалах зі структурними дефектами (дислокаціями), який грунтується на аналізі енергетичних залежностей відбивної здатності для вказаних відбиттів та довжин хвиль. Виявлено задовільне узгодження величин параметра нестехіометрії, отриманих з вимірювань товщинних та енергетичних залежностей відбивної здатності. Показано вплив щільності дислокацій на параметр нестехіометрії. Одержано результат, що відома залежність статичного фактора Дебая - Валлера від дифракційного вектора застосованого відбиття та від довжини екстинкції справджується і у випадку квазізаборонених відбиттів.

• Кладько Василь Петрович (1957–) (фізико-математичні науки)
• Даценко Леонід Іванович (1933–2004) (фізико-математичні науки)
• Мачулін Володимир Федорович (1950–2014) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"