Сливка О. Г. Вплив електричного поля на фазовий перехід у сегнетоелектрику Sn2P2S6 / О. Г. Сливка, В. М. Кедюлич, О. І. Герзанич, В. С. Шуста, П. П. Гуранич // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 3. - С. 328-331. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.Проведено дослідження впливу зовнішнього електричного поля на температурну залежність діелектричної проникності сегнетоелектрика Sn2P2S6 та побудовано E, Tm-діаграму. Виявлені особливості на польових залежностях величин epsilonmax та Tm пов'язано з існуванням внутрішнього поля дефектів, розподіл якого відображає доменну структуру кристала, і яке має релаксаційний характер. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|