Шляхом зіставлення фотоелектричних властивостей плівкових гетеросистем ITO/CdS/CdTe та ITO/CdTe досліджено вплив сполучених шарів на фотоелектричні процеси у базовому полікристалічному шарі телуриду кадмію. Показано, що ефективність фотоелектричних процесів значною мірою визначається міжфазною взаємодією CdTe/ITO або CdTe/CdS. Наявність шару сульфіду кадмію не є необхідною умовою існування сепаруючого бар'єра, але саме вона визначає ефективність фотоелектричних процесів у плівкових гетеросистемах ITO/CdS/CdTe. Інтенсифікація фотоелектричних процесів у цих гетеросистемах у порівнянні з гетеросистемами ITO/CdTe зумовлена наявністю на міжфазній поверхні CdS/CdTe варизонних прошарків твердих розчинів CdS_xTe_{1 - x} (0 < x < 0,2). Запропоновано простий оптичний метод визначення товщини прошарків цих твердих розчинів.

• Хрипунов Геннадій Семенович (1963–) (фізико-математичні науки)
• Юрченко Григорій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"